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电子元器件详细资料 » IC[27664] » SI2306BDS-T1-GE3
型号:SI2306BDS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C47 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs4.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds305pF @ 15V
功率_最大750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装剪切带 (CT)

供应商

北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
上海鑫丰电子技术有限公司陈小姐 张先生086-021-51875986/51872153
深圳市创越芯电子科技有限公司林先生17302677633
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
深圳市成鼎业科技有限公司张0755-82769062
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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SI2306BDS-T1-GE3相关型号

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